Name: TPM7R10CQ5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM7R10CQ5LQTR-ND
Price: 4 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

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TPM7R10CQ5,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TPM7R10CQ5LQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPM7R10CQ5LQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPM7R10CQ5LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPM7R10CQ5,LQ
Descripción	N-CH MOSFET, 150 V, 0.0071 @10V,
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 13H (Ta), 120H (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) 8-SOP avanzado (4.9x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 7.1mOhm a 35A, 10V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 1.2mA
Serie U-MOSX-H	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 57 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6800 pF @ 75 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 250W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 13H (Ta), 120H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (4.9x5.75)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN