Name: TPH1R306PL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH1R306PL1LQTR-ND
Price: 3.14 USD
Availability: InStock

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TPH1R306PL1,LQ
N.º de producto de DigiKey	264-TPH1R306PL1LQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TPH1R306PL1LQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TPH1R306PL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TPH1R306PL1,LQ
Descripción	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5.75)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.34mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8100 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	960mW (Ta), 210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP avanzado (5x5.75)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN