Name: TK31V60W5,LVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60W5LVQTR-ND
Price: 6.13 USD
Availability: InStock

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TK31V60W5,LVQ
N.º de producto de DigiKey	TK31V60W5LVQTR-ND - Cinta y rollo (TR) TK31V60W5LVQCT-ND - Cinta cortada (CT) TK31V60W5LVQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK31V60W5,LVQ
Descripción	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) 4-DFN-EP (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK31V60W5,LVQ Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30.8A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	109mOhm a 15.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 1.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3000 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	240W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TA)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 4-VSFN
Número de producto base	TK31V60