Name: TK200F04N1L,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK200F04N1LLXGQTR-ND
Price: 4.84 USD
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 40 V 200H (Ta) 375W (Tc) TO-220SM(W)

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TK200F04N1L,LXGQ
N.º de producto de DigiKey	264-TK200F04N1LLXGQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TK200F04N1LLXGQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TK200F04N1LLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK200F04N1L,LXGQ
Descripción	MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 200H (Ta) 375W (Tc) TO-220SM(W)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK200F04N1L,LXGQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 214 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14920 pF @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 375W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 200H (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SM(W)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.9mOhm a 100A, 10V	Número de producto base TK200F04
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 1mA