TK125N60Z1,S1F
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TK16N60W,S1VF

N.º de producto de DigiKey
TK16N60WS1VF-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TK16N60W,S1VF
Descripción
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 15.8 A (Ta) 130W (Tc) TO-247
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
TK16N60W,S1VF Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
15.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
190mOhm a 7.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.7V a 790µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1350 pF @ 300 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
TK16N60
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$5.83000$5.83
30$3.30800$99.24
120$2.75250$330.30
510$2.34539$1,196.15
1,020$2.34375$2,390.62
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.