Name: TK080U60Z1,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK080U60Z1RQTR-ND
Price: 5.06 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

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TK080U60Z1,RQ
N.º de producto de DigiKey	264-TK080U60Z1RQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TK080U60Z1RQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TK080U60Z1RQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK080U60Z1,RQ
Descripción	N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 30 A (Ta) 211W (Tc) TOLL
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	80mOhm a 10.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1.17mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2510 pF @ 300 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	211W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TOLL
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN