Name: SSM6K217FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K217FELFTR-ND
Price: 0.53 USD
Availability: InStock

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SSM6K217FE,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM6K217FELFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM6K217FELFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM6K217FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM6K217FE,LF
Descripción	MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) ES6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM6K217FE,LF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1.2V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.1 nC @ 4.2 V
Serie U-MOSVII-H	Vgs (máx.) ±12V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 130 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 500mW (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Paquete del dispositivo del proveedor ES6
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.8A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) SOT-563, SOT-666
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 8V	Número de producto base SSM6K217
Rds On (máx) @ Id, Vgs 195mOhm a 1A, 8V