Name: SSM3K341TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K341TULFTR-ND
Price: 0.74 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SSM3K341TU,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM3K341TULFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM3K341TULFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM3K341TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3K341TU,LF
Descripción	MOSFET N-CH 60V 6A UFM
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 6A (Ta) 1.8W (Ta) UFM
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3K341TU,LF Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 100µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.3 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 550 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 1.8W (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor UFM
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) 3-SMD, conductores planos
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 10V	Número de producto base SSM3K341
Rds On (máx) @ Id, Vgs 36mOhm a 4A, 10V