Name: SSM3K318R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K318RLFTR-ND
Price: 0.59 USD
Availability: InStock

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SSM3K318R,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM3K318RLFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM3K318RLFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM3K318RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM3K318R,LF
Descripción	MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 2.5A (Ta) 1W (Ta) SOT-23F
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM3K318R,LF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.8V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 7 nC @ 10 V
Serie U-MOSIV	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 235 pF @ 30 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 1W (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23F
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2.5A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-3 conductores planos
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base SSM3K318
Rds On (máx) @ Id, Vgs 107mOhm a 2A, 10V