RN1106MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores bipolares simples y prepolarizados

RN1106MFV(TL3,T) es obsoleto y ya no se fabrica.

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RN1106MFV(TL3,T)
N.º de producto de DigiKey	RN1106MFV(TL3T)TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	RN1106MFV(TL3,T)
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Referencia del cliente
Descripción detallada	Transistores - Bipolar (BJT) - Simple prepolarizados NPN - Prepolarizado 50 V 100 mA 150 mW Montaje en superficie VESM
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RN1106MFV(TL3,T) Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares simples y prepolarizados	Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 80 a 10mA, 5V
Embalaje Cinta y rollo (TR)	Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 300mV a 500µA, 5mA
Estado de pieza Obsoleto	Corriente - Corte de colector (Máx.) 500nA
Tipo de transistor NPN - Prepolarizado	Potencia - Máx. 150 mW
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100 mA	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.) 50 V	Paquete / Caja (carcasa) SOT-723
Resistencias incluidas R1 y R2	Paquete del dispositivo del proveedor VESM
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms	Número de producto base RN1106

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Clasificaciones medioambientales y de exportación

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
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