CSD17313Q2Q1 Texas Instruments | Productos de semiconductores discretos

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CSD17313Q2Q1
N.º de producto de DigiKey	296-35548-2-ND - Cinta y rollo (TR) 296-35548-1-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Texas Instruments
Número de pieza del fabricante	CSD17313Q2Q1
Descripción	MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 5A (Tc) 2.3W (Ta) 6-WSON (2x2)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	CSD17313Q2Q1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	3V, 8V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	30mOhm a 4A, 8V
Vgs(th) (máx) a Id	1.8V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	+10V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	340 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-WSON (2x2)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-WDFN
Número de producto base	CSD17313