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STW70N65M2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | STW70N65M2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | STW70N65M2 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3 |
Plazo estándar del fabricante | 20 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 63H (Tc) 446W (Tc) TO-247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | STW70N65M2 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 117 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±25V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5140 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 446W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 46mOhm a 31.5A, 10V |
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Sustitutos (7)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH80N65X2 | IXYS | 3,650 | 238-IXFH80N65X2-ND | $18.70000 | Similar |
| IXFX90N60X | IXYS | 0 | IXFX90N60X-ND | $12.08767 | Similar |
| IXKH70N60C5 | IXYS | 210 | 238-IXKH70N60C5-ND | $29.72000 | Similar |
| IXTH80N65X2 | IXYS | 115 | IXTH80N65X2-ND | $18.30000 | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | $15.53000 | Similar |
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| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 600 | $7.26280 | $4,357.68 |
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