Name: STW65N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16127-5-ND
Price: 10.58 USD
Availability: InStock

STW65N65DM2AG
N.º de producto de DigiKey	497-16127-5-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STW65N65DM2AG
Descripción	MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 60A (Tc) 446W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STW65N65DM2AG Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ DM2
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	50mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5500 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	446W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	STW65

STW65N65DM2AG