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Canal N Orificio pasante 800 V 7A (Tc) 110W (Tc) TO-220
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STP9N80K5

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STP9N80K5-ND
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STP9N80K5
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MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
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Canal N Orificio pasante 800 V 7A (Tc) 110W (Tc) TO-220
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STP9N80K5 Modelos
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Fabricante
Serie
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
900mOhm a 3.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
340 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
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