Name: SCTH35N65G2V-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTH35N65G2V-7TR-ND
Price: 13.06 USD
Availability: InStock

SCTH35N65G2V-7
N.º de producto de DigiKey	497-SCTH35N65G2V-7TR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-SCTH35N65G2V-7CT-ND - Cinta cortada (CT) 497-SCTH35N65G2V-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCTH35N65G2V-7
Descripción	SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) H2PAK-7
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	45A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	18V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	67mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	73 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1370 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	H2PAK-7
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Número de producto base	SCTH35

SCTH35N65G2V-7