Canal N Orificio pasante 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) I2PAK
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STI40N65M2

N.º de producto de DigiKey
497-15552-5-ND
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
STI40N65M2
Descripción
MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) I2PAK
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ M2
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
32A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
99mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
56.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2355 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja (carcasa)
Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
STI40
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Cantidad
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Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$4.64000$4.64
50$2.43220$121.61
100$2.21840$221.84
500$2.06250$1,031.25
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.