Name: STH60N099DM9-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH60N099DM9-2AGTR-ND
Price: 6.25 USD
Availability: InStock

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STH60N099DM9-2AG
N.º de producto de DigiKey	497-STH60N099DM9-2AGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STH60N099DM9-2AGCT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STH60N099DM9-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STH60N099DM9-2AG
Descripción	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 27A (Tc) 179W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STH60N099DM9-2AG Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA
Fabricante STMicroelectronics	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 44 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±30V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2140 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 179W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 27A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 99mOhm a 13.5A, 10V