Name: STH410N4F7-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16421-2-ND
Price: 6.91 USD
Availability: InStock

STH410N4F7-2AG
N.º de producto de DigiKey	497-16421-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-16421-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-16421-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STH410N4F7-2AG
Descripción	MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 200A (Tc) 365W (Tc) H2PAK-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STH410N4F7-2AG Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	STripFET™ F7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.1mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	11500 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	365W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	H2PAK-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STH410

STH410N4F7-2AG