Name: STH315N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14718-2-ND
Price: 5.55 USD
Availability: InStock

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STH315N10F7-2
N.º de producto de DigiKey	497-14718-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-14718-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-14718-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STH315N10F7-2
Descripción	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) H2PAK-2
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180 nC @ 10 V
Fabricante STMicroelectronics	Vgs (máx.) ±20V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 12800 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 315W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 180A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor H2PAK-2
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.3mOhm a 60A, 10V	Número de producto base STH315
Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA