TO-220-F
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

STF26N65DM2

N.º de producto de Digi-Key
STF26N65DM2-ND
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
STF26N65DM2
Proveedor
Descripción
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Plazo estándar del fabricante
38 Semanas
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 20 A (Tc) 30W (Tc) TO-220FP
Referencia del cliente
Hoja de datos  Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
Paquete
Tubo
Estado de la pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
20 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
190mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
35.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1480 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220FP
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
AtributoDescripción
Estado CUMPLIDONo afectado por REACH
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1,000$2.08425$2,084.25
Recursos adicionales
AtributoDescripción
Embalaje estándar1,000
Reemplazos (3)
N.º de piezaFabricante Cantidad disponibleNúmero de pieza de Digi-KeyPrecio por unidad Tipo de reemplazo
R6024ENXRohm Semiconductor180R6024ENX-ND$3.47000Similar
R6020ENXRohm Semiconductor111R6020ENX-ND$3.18000Similar
R6024KNXRohm Semiconductor230R6024KNX-ND$2.60000Similar