STB7ANM60N STMicroelectronics | FET simple, MOSFET

STB7ANM60N
N.º de producto de DigiKey	497-13935-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-13935-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-13935-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB7ANM60N
Descripción	MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 5A (Tc) 45W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STB7ANM60N Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ II
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	900mOhm a 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	363 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STB7

STB7ANM60N