Name: STB35N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-18244-2-ND
Price: 5.87 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

STB35N65DM2
N.º de producto de DigiKey	497-18244-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-18244-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-18244-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB35N65DM2
Descripción	MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 28A (Tc) 210W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STB35N65DM2 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Fabricante STMicroelectronics	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 54 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ M2	Vgs (máx.) ±25V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2400 pF @ 100 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 210W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 28A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base STB35
Rds On (máx) @ Id, Vgs 110mOhm a 14A, 10V