Name: STB33N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB33N60DM6TR-ND
Price: 6.81 USD
Availability: InStock

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STB33N60DM6
N.º de producto de DigiKey	497-STB33N60DM6TR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-STB33N60DM6CT-ND - Cinta cortada (CT) 497-STB33N60DM6DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB33N60DM6
Descripción	MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 25H (Tc) 190W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STB33N60DM6 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.75V a 250µA
Fabricante STMicroelectronics	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ M6	Vgs (máx.) ±25V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1500 pF @ 100 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 190W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 25H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base STB33
Rds On (máx) @ Id, Vgs 128mOhm a 12.5A, 10V