Name: ST8L60N065DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-ST8L60N065DM9TR-ND
Price: 6.85 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

ST8L60N065DM9
N.º de producto de DigiKey	497-ST8L60N065DM9TR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-ST8L60N065DM9CT-ND - Cinta cortada (CT) 497-ST8L60N065DM9DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	ST8L60N065DM9
Descripción	N CHANNEL 600V 51MOHM TYP 39A
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 39A (Tc) 202W (Tc) PowerFlat™ (8x8) HV
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	ECOPACK®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	39A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	65mOhm a 19.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3350 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	202W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerFlat™ (8x8) HV
Paquete / Caja (carcasa)	4-PowerVDFN