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Reemplazos disponibles:
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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SCTW35N65G2V | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 497-SCTW35N65G2V-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SCTW35N65G2V |
Descripción | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 45A (Tc) 240W (Tc) HiP247™ |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SCTW35N65G2V Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Última compra | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 18V, 20V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 67mOhm a 20A, 20V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5V a 1mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 73 nC @ 20 V | |
Vgs (máx.) | +22V, -10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1370 pF @ 400 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 240W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Grado | Uso automotriz | |
Calificación | AEC-Q101 | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | HiP247™ | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Última compra
Fecha de la última compra: 15/02/2026
Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 600 | $7.25625 | $4,353.75 |
Para usar con
1 Productos
México