TO-247-3
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SCTW100N65G2AG

N.º de producto de DigiKey
497-SCTW100N65G2AG-ND
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
SCTW100N65G2AG
Descripción
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 100A (Tc) 420W (Tc) HiP247™
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SCTW100N65G2AG Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
26mOhm a 50A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
162 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3315 pF @ 520 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
420W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
HiP247™
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
Número de producto base
SCTW100
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$28.34000$28.34
30$22.73867$682.16
120$22.50000$2,700.00
Paquete estándar del fabricante
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