Canal N Montaje en superficie 650 V 40A (Tc) 417W (Tc) PowerFlat™ (8x8) HV
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SCTL35N65G2V

N.º de producto de DigiKey
497-SCTL35N65G2VTR-ND - Cinta y rollo (TR)
497-SCTL35N65G2VCT-ND - Cinta cortada (CT)
497-SCTL35N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
SCTL35N65G2V
Descripción
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Plazo estándar del fabricante
18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 650 V 40A (Tc) 417W (Tc) PowerFlat™ (8x8) HV
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SCTL35N65G2V Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
40A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
67mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1370 pF @ 400 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerFlat™ (8x8) HV
Paquete / Caja (carcasa)
4-PowerVDFN
Número de producto base
SCTL35
Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

En stock: 5,670
Comprobar si hay stock entrante adicional
Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$16.02000$16.02
10$11.32700$113.27
100$10.40400$1,040.40
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3,000$8.50000$25,500.00
Paquete estándar del fabricante
También le puede interesarVer todo
6 Productos
SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

$29.16000
NTMT045N065SC1

NTMT045N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

onsemi

$12.53000
TW031V65C,LQ

TW031V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

$38.15000
FL06100G

FL06100G

SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8

fastSiC

$8.17000
TW054V65C,LQ

TW054V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.054 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

$27.43000
IMTA65R033M2HXTMA1

IMTA65R033M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

$10.18000