Name: SCT20N120H
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT20N120HTR-ND
Price: 9.26 USD
Availability: OutOfStock

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SCT20N120H
N.º de producto de DigiKey	497-SCT20N120HTR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-SCT20N120HCT-ND - Cinta cortada (CT) 497-SCT20N120HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCT20N120H
Descripción	SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) H2PAK-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SCT20N120H Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	290mOhm a 10A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	45 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	650 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	175W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	H2PAK-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	SCT20