Name: SCT055TO65G3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT055TO65G3TR-ND
Price: 8.56 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SCT055TO65G3
N.º de producto de DigiKey	497-SCT055TO65G3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-SCT055TO65G3CT-ND - Cinta cortada (CT) 497-SCT055TO65G3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCT055TO65G3
Descripción	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 30A (Tc) 234W (Tc) TOLL (HV)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SCT055TO65G3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	72mOhm a 15A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	31 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+18V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	687 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	234W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TOLL (HV)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN
Número de producto base	SCT055