Name: SCT025W120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT025W120G3AG-ND
Price: 17.71 USD
Availability: InStock

SCT025W120G3AG
N.º de producto de DigiKey	497-SCT025W120G3AG-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCT025W120G3AG
Descripción	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 56A (Tc) 388W (Tc) HiP247™
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	56A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	37mOhm a 25A, 18V
Vgs(th) (máx) a Id	4.2V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	73 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+18V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1990 pF @ 800 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	388W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	HiP247™
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3

SCT025W120G3AG