Name: S2M0080120N
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S2M0080120N-ND
Price: 21.86 USD
Availability: InStock

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S2M0080120N
N.º de producto de DigiKey	1655-S2M0080120N-ND
Fabricante	SMC Diode Solutions
Número de pieza del fabricante	S2M0080120N
Descripción	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje de chasis 1200 V 36A (Tc) 176W (Tc) SOT-227
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	SMC Diode Solutions
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	36A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	100mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 10mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	54 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1324 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	176W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje de chasis
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-227
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-227-4, miniBLOC