SH8M4TB1 Rohm Semiconductor | Arreglos FET, MOSFET

SH8M4TB1
N.º de producto de DigiKey	SH8M4TB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SH8M4TB1CT-ND - Cinta cortada (CT) SH8M4TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	SH8M4TB1
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 9 A, 7 A 2W Montaje en superficie 8-SOP
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Canal N y P
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9 A, 7 A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	18mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15nC a 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1190pF a 10V
Potencia - Máx.	2W
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP
Número de producto base	SH8M4

SH8M4TB1