Name: SCT3120ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3120ALGC11-ND
Price: 10.65 USD
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 21H (Tc) 103W (Tc) TO-247N

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SCT3120ALGC11
N.º de producto de DigiKey	SCT3120ALGC11-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	SCT3120ALGC11
Descripción	SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 21H (Tc) 103W (Tc) TO-247N
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SCT3120ALGC11 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5.6V a 3.33mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +22V, -4V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 460 pF @ 500 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 103W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 21H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-247N
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 156mOhm a 6.7A, 18V	Número de producto base SCT3120

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$10.65000	$10.65
30	$6.30000	$189.00
120	$5.34483	$641.38
510	$4.64520	$2,369.05
1,020	$4.57500	$4,666.50

Paquete estándar del fabricante

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.

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