RFV15TG6SGC9
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RFV15TG6SGC9
4th Gen SiC MOSFETs

SCS208AGC17

N.º de producto de DigiKey
846-SCS208AGC17-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
SCS208AGC17
Descripción
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFP
Referencia del cliente
Descripción detallada
Diodos 650 V 8A Orificio pasante TO-220ACFP
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
No para diseños nuevos
Tecnología
SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
650 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
8A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.55 V @ 8 A
Velocidad
Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
160 µA @ 600 V
Capacitancia según Vr, F
291pF a 1V, 1MHz
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-2
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220ACFP
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento
175°C
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50$1.87740$93.87
100$1.29720$129.72
Paquete estándar del fabricante
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