RSR020N06TL Rohm Semiconductor | Productos de semiconductores discretos

RSR020N06TL
N.º de producto de DigiKey	RSR020N06TLTR-ND - Cinta y rollo (TR) RSR020N06TLCT-ND - Cinta cortada (CT) RSR020N06TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RSR020N06TL
Descripción	MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 2A (Ta) 540mW (Ta) TSMT3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RSR020N06TL Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	170mOhm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	180 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	540mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT3
Paquete / Caja (carcasa)	SC-96
Número de producto base	RSR020