Name: RSJ550N10TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSJ550N10TLTR-ND
Price: 5.59 USD
Availability: OutOfStock

RSJ550N10TL
N.º de producto de DigiKey	RSJ550N10TLTR-ND - Cinta y rollo (TR) RSJ550N10TLCT-ND - Cinta cortada (CT) RSJ550N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RSJ550N10TL
Descripción	MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 55A (Ta) 100W (Tc) LPTS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RSJ550N10TL Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	55A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16.8mOhm a 27.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6150 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LPTS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	RSJ550

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1,000	$2.05790	$2,057.90
2,000	$1.94125	$3,882.50

RSJ550N10TL