Name: RS7P200BMTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7P200BMTB1TR-ND
Price: 5.02 USD
Availability: InStock

RS7P200BMTB1
N.º de producto de DigiKey	846-RS7P200BMTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RS7P200BMTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RS7P200BMTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS7P200BMTB1
Descripción	NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 200A (Tc) 3.6W (Ta), 217W (Tc) DFN5060-8S
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	200A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7800 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.6W (Ta), 217W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN5060-8S
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

RS7P200BMTB1