Name: RS7N200BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7N200BHTB1TR-ND
Price: 5.53 USD
Availability: InStock

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RS7N200BHTB1
N.º de producto de DigiKey	846-RS7N200BHTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RS7N200BHTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RS7N200BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS7N200BHTB1
Descripción	NCH 80V 230A, DFN5060-8S, POWER
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 230A (Ta) 3W (Ta), 180W (Tc) DFN5060-8S
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 92 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6550 pF @ 40 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 180W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 230A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor DFN5060-8S
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2mOhm a 50A, 10V