Name: RS6G100BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6G100BGTB1TR-ND
Price: 2.48 USD
Availability: InStock

RS6G100BGTB1
N.º de producto de DigiKey	846-RS6G100BGTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RS6G100BGTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RS6G100BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS6G100BGTB1
Descripción	NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 100A (Tc) 3W (Ta), 59W (Tc) 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.4mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1510 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 59W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSOP
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2,500	$0.72905	$1,822.62
5,000	$0.70475	$3,523.75

RS6G100BGTB1