Name: RQ6E080AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E080AJTCRTR-ND
Price: 1.19 USD
Availability: InStock

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RQ6E080AJTCR
N.º de producto de DigiKey	RQ6E080AJTCRTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ6E080AJTCRCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ6E080AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ6E080AJTCR
Descripción	MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 8A (Ta) 950mW (Ta) TSMT6 (SC-95)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RQ6E080AJTCR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16.5mOhm a 8A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	16.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1810 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	950mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT6 (SC-95)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de producto base	RQ6E080