Name: RJ1P10BBHTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RJ1P10BBHTL1TR-ND
Price: 7.6 USD
Availability: InStock

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RJ1P10BBHTL1
N.º de producto de DigiKey	846-RJ1P10BBHTL1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RJ1P10BBHTL1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RJ1P10BBHTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RJ1P10BBHTL1
Descripción	NCH 100V 105A, TO-263AB, POWER M
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 105A (Tc) 189W (Tc) TO-263AB
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	105A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8600 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	189W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB