Canal N Montaje en superficie 800 V 2A (Tc) 69W (Tc) TO-252
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Canal N Montaje en superficie 800 V 2A (Tc) 69W (Tc) TO-252
TO-252

R8002CND3FRATL

N.º de producto de DigiKey
846-R8002CND3FRATLTR-ND - Cinta y rollo (TR)
846-R8002CND3FRATLCT-ND - Cinta cortada (CT)
846-R8002CND3FRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
R8002CND3FRATL
Descripción
MOSFET N-CH 800V 2A TO252
Plazo estándar del fabricante
23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 800 V 2A (Tc) 69W (Tc) TO-252
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
4.3Ohm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
12.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
240 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base
R8002
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$3.82000$3.82
10$2.50300$25.03
100$1.75490$175.49
500$1.43522$717.61
1,000$1.33255$1,332.55
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
2,500$1.27250$3,181.25
Paquete estándar del fabricante