Name: R8002ANX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R8002ANX-ND
Price: 1.48298 USD
Availability: OutOfStock

R8002ANX
N.º de producto de DigiKey	R8002ANX-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R8002ANX
Descripción	MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 800 V 2A (Tc) 35W (Tc) TO-220FM
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	R8002ANX Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.3Ohm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	210 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220FM
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	R8002

R8002ANX