Name: R8001CND3FRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R8001CND3FRATLTR-ND
Price: 3.16 USD
Availability: InStock

R8001CND3FRATL
N.º de producto de DigiKey	846-R8001CND3FRATLTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-R8001CND3FRATLCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-R8001CND3FRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R8001CND3FRATL
Descripción	MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 1A (Tc) 36W (Tc) TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.7Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	7.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	60 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	R8001

R8001CND3FRATL