Canal N Orificio pasante 600 V 20A (Tc) 68W (Tc) TO-220FM
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Canal N Orificio pasante 600 V 20A (Tc) 68W (Tc) TO-220FM
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6020KNX

N.º de producto de DigiKey
R6020KNX-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
R6020KNX
Descripción
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Plazo estándar del fabricante
18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 20A (Tc) 68W (Tc) TO-220FM
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
R6020KNX Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
196mOhm a 9.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1550 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
R6020
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Cantidad
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Granel
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$3.84000$3.84
10$2.51500$25.15
100$1.76330$176.33
500$1.44240$721.20
1,000$1.33933$1,339.33
2,000$1.28000$2,560.00
Paquete estándar del fabricante