Name: R6018JNJGTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6018JNJGTLTR-ND
Price: 5.17 USD
Availability: InStock

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R6018JNJGTL
N.º de producto de DigiKey	R6018JNJGTLTR-ND - Cinta y rollo (TR) R6018JNJGTLCT-ND - Cinta cortada (CT) R6018JNJGTLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R6018JNJGTL
Descripción	MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 18A (Tc) 220W (Tc) LPTS
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	18A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	286 mOhm a 9A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	7V a 4.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	42 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1300 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	220W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LPTS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	R6018