Name: R6009JND3TL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6009JND3TL1TR-ND
Price: 3.3 USD
Availability: InStock

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R6009JND3TL1
N.º de producto de DigiKey	R6009JND3TL1TR-ND - Cinta y rollo (TR) R6009JND3TL1CT-ND - Cinta cortada (CT) R6009JND3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R6009JND3TL1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	585 mOhm a 4.5A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	7V a 1.38mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	645 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	R6009