QS8M13TCR Rohm Semiconductor | Arreglos FET, MOSFET

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QS8M13TCR
N.º de producto de DigiKey	QS8M13TCRTR-ND - Cinta y rollo (TR) QS8M13TCRCT-ND - Cinta cortada (CT) QS8M13TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	QS8M13TCR
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 6A, 5A 1.5W Montaje en superficie TSMT8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	QS8M13TCR Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.5nC a 5V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 390pF a 10V
Estado de pieza Obsoleto	Potencia - Máx. 1.5W
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Configuración Canal N y P	Tipo de montaje Montaje en superficie
Característica de FET Compuerta de nivel lógico	Paquete / Caja (carcasa) 8-SMD, conductores planos
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V	Paquete del dispositivo del proveedor TSMT8
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6A, 5A	Número de producto base QS8M13
Rds On (máx) @ Id, Vgs 28mOhm a 6A, 10V

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
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