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QS8M13TCR

N.º de producto de DigiKey
QS8M13TCRTR-ND - Cinta y rollo (TR)
QS8M13TCRCT-ND - Cinta cortada (CT)
QS8M13TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de pieza del fabricante
QS8M13TCR
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 30V 6A, 5A 1.5W Montaje en superficie TSMT8
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
QS8M13TCR Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Obsoleto
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Configuración
Canal N y P
Característica de FET
Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
6A, 5A
Rds On (máx) @ Id, Vgs
28mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
5.5nC a 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
390pF a 10V
Potencia - Máx.
1.5W
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)
8-SMD, conductores planos
Paquete del dispositivo del proveedor
TSMT8
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

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Obsoleto
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