Name: QS8J13TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8J13TR-ND
Price: 1.25 USD
Availability: InStock

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QS8J13TR
N.º de producto de DigiKey	QS8J13TR-ND - Cinta y rollo (TR) QS8J13CT-ND - Cinta cortada (CT) QS8J13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	QS8J13TR
Descripción	MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 12V 5.5A 1.25W Montaje en superficie TSMT8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal P (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.5A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	22mOhm a 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	60nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6300pF a 6V
Potencia - Máx.	1.25W
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SMD, conductores planos
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT8
Número de producto base	QS8J13